| 美國明導科技宣布，基于該公司MicReD部門與德國英飛凌科技Automotive Power Application部門2005年共同發(fā)表創(chuàng)意時所提出的半導體封熱阻檢測方法，已成為JEDEC（Joint ELectron Device Engineering Council）標準。該方法主要針對功率半導體及led等領域，用于散熱路徑單一的場合。
相應規(guī)格于2010年11月被管理半導體封裝熱特性評測技術的JEDEC JC15委員會認定為“JESD51-14”標準。該標準命名為：“在熱量流過單一路徑的半導體器件時，用于檢測結（注：器件的結點）－殼（注：封裝的外殼）間熱阻的雙面瞬態(tài)檢測方法”。
此次的標準（以及明導和英飛凌于2005年共同發(fā)表的方法）基于MicReD推出的下述技術：
�。�1）靜態(tài)的瞬態(tài)熱阻檢測技術（已成為JEDEC51-1標準）；
注：使用T3Ster（右上）的熱阻檢測方法。首先使用T3Ster求出溫度的時間分布（左圖）。然后使用相關軟件將時間分布信息轉換為構造函數(shù)（右圖）。（點擊圖片放大）
�。�2）利用由該技術獲得的時間-溫度分布信息導出構造函數(shù)（顯示熱阻-熱容關系的函數(shù)或圖形）。
注：構造函數(shù)的含義。表示作為對象的已封裝器件的熱構造。 另外，（1）和（2）兩技術已通過使用明導提供的熱阻檢測用硬件“T3Ster”及其軟件，實現(xiàn)了商品化。
注：明導和英飛凌于2005年共同發(fā)表的創(chuàng)意。圖片由明導和英飛凌提供。
JESD51-14的方法在包含隔離層和不包含隔離層兩種場合（這就是“雙面”的含義）均基于（1）和（2）這兩種技術，推算出各自的構造函數(shù)。構造函數(shù)一致的部分可作為結-殼間熱阻高精度求出。另外，在微處理器等散熱路徑不單一時，通過改為單一路徑的設計并多次檢測，便可求出熱阻。
在此次明導宣布上述消息的同時，英飛凌在2011年3月20～24日于美國舉行的國際會議“2011 IEEE SEMI-THERM Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium”上，發(fā)表了與JESD51-14相關的論文。另外，上面提到的MicReD部門在2005年時是一家總部設在匈牙利布達佩斯的企業(yè)（MicReD Kft.）。MicReD后被英國Flomerics Group PLC.收購。后來明導又于2008年收購了Flomerics，現(xiàn)在變成了明導的MicReD部門。 |
