發(fā)射綠光的二極管。發(fā)光中心波長在560nm左右。用于霓虹燈和指示器、LED顯示器的光源以及液晶面板的背照燈光源等。
綠色LED與紅色LED及藍(lán)色LED相比，被認(rèn)為尚有較大的改進(jìn)余地。組合紅色LED、綠色LED和藍(lán)色LED構(gòu)成LED顯示器或液晶面板的背照燈光源時，為了調(diào)制成亮度高且均衡的白色，考慮到人眼的視覺靈敏度，RGB三色LED光量的分配比例需為約3:6:1或者約3:7:1.因綠色LED的亮度不足，因此必須使用多個綠色LED來提高輸出功率。綠色LED主要使用的GaN類半導(dǎo)體材料比用于藍(lán)色LED時的效率低，輸入相同的電力，光輸出功率較低。
這種狀況開始出現(xiàn)改觀。日本國內(nèi)外的大學(xué)和LED芯片廠商等已開始著手研究通過改變GaN結(jié)晶的成長面，來大幅提高效率。如果GaN類半導(dǎo)體的結(jié)晶面得以改變，有可能會將綠色LED的效率提高至目前的2倍以上。
目前銷售的GaN類半導(dǎo)體綠色LED效率低下的原因主要在于壓電場。壓電場是指因結(jié)晶構(gòu)造的應(yīng)力而導(dǎo)致的壓電極化所產(chǎn)生的電場。市場上銷售的綠色LED多是以GaN結(jié)晶的極性面c面（0001）為成長面，以其法線方向（c軸）為成長軸的層積GaN類半導(dǎo)體層等。通過改變成長軸來減弱壓電極化，以與GaN類結(jié)晶的c面垂直的稱為a面或m面的非極性面，或者相對于c面傾斜的半極性面為成長面，以每個面的法線方向?yàn)槌砷L軸的綠色LED的研究非�；钴S。
注：InGaN和AlInGaP在綠色波長帯的外部量子效率均大幅下降。
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