| 評測光源效率的指標(biāo)，用光源發(fā)出的光通量（lm）與向光源輸入的電力（W）之比表示。單位為lm/W.
最近，白色LED的發(fā)光效率超過了100lm/W.作為有望繼白熾燈和熒光燈之后成為新一代光源的白色LED,其發(fā)光效率能否達到與直管型熒光燈的綜合效率相同的100lm/W備受關(guān)注。發(fā)光效率只表示光源的效率，與將光源安裝到照明器具上后器具的整體效率（綜合效率）是不同的概念。
發(fā)光效率是將外部量子效率用視覺靈敏度（人眼對光的靈敏度）來表示的數(shù)值。外部量子效率是發(fā)射到LED芯片和封裝外的光子個數(shù)相對于流經(jīng)LED的電子個數(shù)（電流）所占的比例。組合使用藍色LED芯片和熒光體的白色LED的外部量子效率，是相對于內(nèi)部量子效率（在LED芯片發(fā)光層內(nèi)發(fā)生的光子個數(shù)占流經(jīng)LED芯片的電子個數(shù)（電流）的比例）、芯片的光取出效率（將所發(fā)的光取出到LED芯片之外的比例）、熒光體的轉(zhuǎn)換效率（芯片發(fā)出的光照到熒光體上轉(zhuǎn)換為不同波長的比例）以及封裝的光取出效率（由LED和熒光體發(fā)射到封裝外的光線比例）的乘積決定。
在發(fā)光層產(chǎn)生的光子的一部分或在LED芯片內(nèi)被吸收，或在LED芯片內(nèi)不停地反射，出不了LED芯片。因此，外部量子效率比內(nèi)部量子效率要低。發(fā)光效率為100lm/W的白色LED,其輸入電力只有32%作為光能輸出到了外部。剩余的68%轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮堋?/P>
今后3年將提高100lm/W
發(fā)光效率在2003年之前一直以每年數(shù)lm/W的速度緩慢提高。在提高發(fā)光效率時，最初未改變熒光體和封裝，而是致力于改進芯片技術(shù)。具體而言，進行了諸如改善藍色LED芯片所使用的GaN類半導(dǎo)體結(jié)晶的MOCVD結(jié)晶成長技術(shù)等。
從2004年開始，發(fā)光效率以每年10~20lm/W的速度提高。由此，從2004年的50lm/W到2008年的100lm/W,4年間提高了50lm/W.這種速度的實現(xiàn)，借助了將原來聚集于成膜技術(shù)的芯片技術(shù)改進擴展至了整個LED制造工藝那樣的重大調(diào)整。另外，除了改進芯片技術(shù)外，還開始對熒光體進行改善。
68%為熱損失
對發(fā)光效率為100lm/W的白色LED的能源轉(zhuǎn)換進行模擬的結(jié)果。白色LED實現(xiàn)了與熒光燈同等以上的發(fā)光效率，但只有輸入電力的32%能作為光能輸出到外部。剩余的68%轉(zhuǎn)變?yōu)榱藷崮堋Ｔ撃M為向直徑5mm的炮彈型白色LED輸入62mW電力時的結(jié)果。白色LED是通過組合使用藍色LED芯片和黃色熒光體獲得的。
今后，各LED廠商擬將把2008年實現(xiàn)的100lm/W發(fā)光效率，提高至2010年的140~170lm,2011年提高至150~200lm/W.也就是說，在發(fā)光效率上領(lǐng)先于新加入進來的廠商的LED廠的目標(biāo)是，平均每年提高30lm/W以上，3年提高100lm/W.LED的發(fā)光效率的上限被認為是250lm/W左右，各LED廠商正在挑戰(zhàn)能以何種程度逼近上限。
為挑戰(zhàn)該上限，LED廠商正在全面導(dǎo)入最新的芯片技術(shù)、熒光體技術(shù)以及封裝技術(shù)。芯片技術(shù)方面，將繼續(xù)提高內(nèi)部量子效率和光取出效率。熒光體方面，除了提高變換效率外，還要采取措施降低因熒光體散射造成的衰減。封裝技術(shù)方面，要改善材料和構(gòu)造，以提高光取出效率。
通過同時投入芯片、熒光體和封裝領(lǐng)域的多種技術(shù)，以高于以往的速度提高發(fā)光效率，由此才能應(yīng)對提前出現(xiàn)的照明用途和快速擴大的背照燈市場。
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