在硅襯底上做氮化鎵LED,按照目前效率和成本預(yù)測，將分為三個(gè)階段：到2010年將達(dá)到90~100lm/W,平均1W的芯片成本約1元；到2015年將達(dá)到120~140lm/W,平均1W的芯片成本將降到2010年的1/2;到2020年將達(dá)到160~200lm/W,平均1W的芯片成本將降到2010年的1/3.到那時(shí)，如果用LED替代60W的白熾燈，芯片的價(jià)格約1.5元。當(dāng)然這有個(gè)前提，即發(fā)展出減緩DROOP效應(yīng)的發(fā)光結(jié)構(gòu)，這是目前任何一種襯底外延氮化鎵LED要解決的共性問題。
目前硅襯底的功率型LED做成白光的效率普遍是70~80lm/W,量產(chǎn)的芯片以0.2毫米x0.2毫米的藍(lán)綠光芯片為主，還沒有發(fā)現(xiàn)發(fā)展高效率硅襯底LED存在物理上的瓶頸。從微觀上來分析，最近國際上一流水平的外延材料位錯(cuò)密度TDD約6×108cm-2 ,我們的硅襯底LED也在這個(gè)范圍；從宏觀方面看，硅襯底LED在高電流密度下性能穩(wěn)定。
從現(xiàn)有水平看，硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)路線需要攻克幾大關(guān)鍵技術(shù)，包括6英寸MOCVD設(shè)備制造技術(shù)、6英寸外延材料生長技術(shù)（減緩DROOP效應(yīng)的發(fā)光結(jié)構(gòu)）以及6英寸芯片制造技術(shù)。
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