生長LED有源層的外延方法有氣相外延(VPE）、液相外延（LPE）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積（MOCVD）、分子束外延（MBE）。它們生長LED有源層的材料分別有氣相外延CaAsp、GaP，液相外延GaP，GaAlAs，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積InGaAlP、InCaN，分子束外延ZnSe等。
氣相外延比較簡單，往往在外延生長后要再通過用擴(kuò)散的方法制作PN結(jié)，所以效率低。液相外延已能一爐生長60-100片，生產(chǎn)效率較高，通過稼的重復(fù)使用成本也已降得很低，可用以制造高亮度GaP綠色發(fā)光器件和一般亮度的GaP紅色發(fā)光器件，也可用它制造超高亮度GaAlAs發(fā)光器件。金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積法（MOCVD）是目前生產(chǎn)超高亮度InCaN藍(lán)、綠色LED和InCaAIP紅、黃色LED的主要方法，它既能精確控制厚度---生長厚度能控制到20A左右，又能精密控制外延層的組成�？捎么朔ㄉL超高亮度LED結(jié)構(gòu)中所需要的量子阱階層和DBR反射結(jié)構(gòu)種的20個(gè)左右的周期層，也適用于大批量生產(chǎn)，是目前生產(chǎn)超高亮度LED的主要方法。分子束外延目前主要用于研制ZnSe白色發(fā)光二極管，效果很好，能生長小于10A的外延層，確定是生長數(shù)度較慢，每小時(shí)約1微米，裝片容量也頗少，生產(chǎn)效率較低。
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