| 按照屏蔽原理可以分為電場(chǎng)屏蔽、磁場(chǎng)屏蔽和電磁屏蔽。在設(shè)計(jì)中要想達(dá)到所需的屏蔽性能，需要先明確輻射源、屏蔽范圍、再根據(jù)各個(gè)頻段的典型泄漏結(jié)構(gòu)，確定控制要素，進(jìn)而選擇合適的屏蔽材料，設(shè)計(jì)屏蔽殼體。
屏蔽體的屏蔽效能由兩個(gè)部分組成，吸收損耗和反射損耗。當(dāng)電磁波射入到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生反射。反射的電磁波稱(chēng)為反射損耗，當(dāng)電磁波在屏蔽體中傳播時(shí)就構(gòu)成了吸收損耗。屏蔽效能 = 吸收損耗( A) + 反射損耗( Ｒ) + 多次反射損耗( B) ，如 圖 1 所示。
1.吸收損耗 A
吸收損耗是由電磁波的頻率、屏蔽體的相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)電導(dǎo)率共同決定，單位是 dB，表達(dá)式是:
式中，f 為電磁波頻率( Hz) ，μr、σr 為屏蔽體相對(duì)于銅的相 對(duì) 磁 導(dǎo) 率 和 相 對(duì) 電 導(dǎo) 率，t 為 屏 蔽 體 壁 厚( mm) 。
由此可以得出: 同一種屏蔽體，相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)電導(dǎo)率越大，吸收損耗越大，同時(shí)，屏蔽體的厚度越大，吸收損耗也越大。因此，當(dāng)頻率一定時(shí)，盡量選取相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)導(dǎo)電率越大的金屬材料，在條件允許的情況下盡可能增加屏蔽體厚度，以提高其吸收損耗。
2.反射損耗 Ｒ
反射損耗是由屏蔽體表面處阻抗不連續(xù)性引起的，平面波以 dB 為單位的表達(dá)式為:
由公式可以得出，電磁波頻率越大，反射損耗越少。對(duì)于同一種材料而言，相對(duì)磁導(dǎo)率越小和相對(duì)電導(dǎo)率越大，反射損耗就越大。因此，頻率一定時(shí)，盡量選擇導(dǎo)磁率小、導(dǎo)電率大的材料以增加反射損耗。
3. 多次反射損耗 B
多次反射損耗是由電磁波在屏蔽體內(nèi)反復(fù)碰到壁面所產(chǎn)生的損耗。當(dāng)屏蔽體較厚或者頻率較高時(shí)，屏蔽體吸收損耗較大，這樣當(dāng)電磁波在屏蔽體經(jīng)一次傳播后到達(dá)另一個(gè)分界面的時(shí)候已經(jīng)衰減很多，經(jīng)過(guò)多次反射，電磁波能量將會(huì)越來(lái)越小，一般在吸收損耗大于 15dB，多次損耗可以忽略。當(dāng)吸收損耗較小，此時(shí)多次損耗必須考慮。表達(dá)式為:
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